808nm 100mW~1000mW IR 반도체 레이저 0~30khz Analog or TTL

808nm 100mW~1000mw IR 반도체 레이저  modulation 0~30khz Analog or TTL

 

상품명: 808nm IR 반도체 레이저

리드 타임: 1~3 weeks, 맞춤형 제품 가능!

출력 파장: 808(+/-5) nm

출력 파워: 100mW / 1000mW (choose)

Spatial Mode: multimode

Operating Mode: CW or Modulation

편광: 10:1

포인팅 안정성: <0.05 mrad

빔 직경: Near 5mm

Beam Divergence Angle:  3 mrad

전원 안정성: <±3% per 2 hrs

Bean Height: Near 25mm

온도 안정화: TEC

준비 시간: <5 minutes

빔 품질(M2): <2

최적 작동 온도: 20~30℃

보관 온도: 10~50℃

MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs

Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm3 (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (선택하다)
전원 공급 장치-1:Standard Power Supply (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: Lab 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30KHz Analog or TTL
보증:1 Year

 

1 x 808nm IR  Laser

1 x Laser power supply