1270nm 10000mW 고성능 반도체 레이저 System CW/TTL 변조

1270nm 10000mW 고성능 반도체 레이저 System CW/TTL 변조

[명세서]
상품명: 1270nm IR 반도체 레이저
출력 파장: 1270±20nm
출력 파워: 10W
공간 모드: Multimode
작동 모드: CW or Modulation
포인팅 안정성: <0.05 mrad
Beam 크기: near 5mm
빔 발산 전체 각도: 4 mrad
전원 안정성: <±3% per 2 hrs
빔 높이:  near 34 mm
온도 안정화: TEC 
준비 시간: <5 minutes 
빔 품질(M2): <2
최적 작동 온도: 20~30℃
보관 온도: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 211(L)x151(W)x50.5(H) mm (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: 분할 전원 공급 장치 / Lab 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다)
전원 공급 장치-1:Split Power Supply (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: Lab 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
Laser Radiator/Heat Sink: Not Include/Include (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30KHz Analog or TTL
보증:1 Year

[패키지 포함]
1 x 1270nm Laser head
1 x Power supply