808nm 1~1800mW NIR 다이오드 레이저 반도체 레이저 Source 전원 공급 장치 포함

808nm 1~1800mW NIR 다이오드 레이저 반도체 레이저 Source 전원 공급 장치 포함

[특징]
1.High power stability(<3%)
2.Small volume, easy to install

[명세서]
상품명: 808nm 반도체 레이저
리드 타임: 1~3 weeks!
파장: 808±5 nm
출력 파워: 1~1800mW
Spectral Linewidth：<2nm
Beam 크기: Near 5*5 mm
Beam Divergence Angle: <6 mrad
작동 온도: 0°C-40°C
보관 온도: -40°C-85°C
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Dimension: Near 140(L)x49(W)x42(H)mm 
전원 공급 장치: 조정 가능한 전원 공급 장치
조정: 0~10KHz TTL
보증:1 Year

[Packing List]
1 x Laser head
1 x Power supply
1 x Test data report
1 x Operation manual