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808nm 2W~4W 고공률 IR 반도체 레이저 0~30khz 아날로그 변조 TTL 변조

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808nm 2W~4W 고공률 IR 반도체 레이저 0~30khz 아날로그 변조 TTL 변조
808nm 2W~4W  High power IR Semiconductor Laser 0~30khz Analog or TTL
 
 
[Specifications]
Product 상품 명칭: 808nm 808nm 2W~4W  IR Semiconductor Laser
리드 타임: 3~7 workingdays! Custom product available!
파장: 808(+/-5) nm
출력: 2W~4W 선택
스폿 모드: multimode
작동 모드: CW or Modulation
Prejudiced way: 10:1
포인팅 안정성: <0.05 mrad
빔 지름: 6mm
Beam 발산 각:  2.5 mrad
전력 안정성: <±3% per 2 hrs
빔 높이: 25mm
온도 안정화: TEC
예열 시간: <5 minutes
Beam quality(M2): <20
최적 작동온도: 20~30℃
보관온도: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
레이저 크기: 155(L)x77(W)x60(H)mm3
변조:  0~30khz Analog or TTL
 
 
[Package include]
1 x 808nm IR  Laser
1 x Laser power supply
 
 
 







 






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