875nm 2000mW 고성능 반도체 레이저 IR Laser

875nm 2000mW 고성능 반도체 레이저 IR Laser

[명세서]
상품명: 875nm 반도체 레이저
파장: 875nm±5nm
출력 파워: 2000mW
공간 모드: Multimode
Operating Mode: CW or Modulation
편광: 10:01
Directional Stability: <0.05 mrad
Bean 크기: Near 6mm
빔 발산 전체 각도: 2.5 mrad
전원 안정성: <3% per 2 hrs
빔 높이: Near 25mm
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
Beam Quality (M2): <20
The best working temperature:20~30℃
보관 온도: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
레이저 헤드 치수: Near 100(L)x40(W)x50(H)mm3 (fan adds height) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (선택하다)
전원 공급 장치-1:Standard Power Supply (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: Lab 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30khz Analog or TTL
보증:1 Year

Note:
This laser can be customized with fiber coupled laser. Please contact us if needed.