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808nm 4000mW 반도체 레이저 IR 다이오드 레이저 Source

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808nm 4000mW 반도체 레이저 IR 다이오드 레이저 Source
 
[명세서]
상품명: 808nm 반도체 레이저
리드 타임: 1~3 몇 주 Custom product available!
출력 파장: 808(+/-5) nm
출력 파워: 4W
Spatial Mode: Multimode
작동 모드: CW or Modulation
Polarization: 10:01
포인팅 안정성: <0.05 mrad
빔 직경: Near 5 mm
빔 발산 각도:  3 mrad
전원 안정성: <±3% per 2 hrs
Bean Height: Near 25mm
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
빔 품질(M²): <2
최적 작동 온도: 20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
레이저 헤드 치수: Near 100(L)*40(W)*50(H)mm³ (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: 분할형 전원 공급 장치 / 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다)
전원 공급 장치-1: Split Power Supply (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
레이저 라디에이터/방열판: 포함하지 않음/포함 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30kHz Analog or TTL
보증: 1 Year
 
[패키지 포함]
1 x 808nm Laser head
1 x Laser power supply
 
 
 

CivilLaser laser product image
 

IR 반도체 레이저

IR 반도체 레이저

IR 반도체 레이저

civillaser power supply
 






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