825nm 2000mW IR 반도체 레이저 연구실 레이저 시스템

 825nm 2000mW IR 반도체 레이저 연구실 레이저 시스템
 
[명세서]
상품명: 825nm IR 반도체 레이저
출력 파장: 825nm ± 10 nm 
출력 파워: 2000mW 
공간 모드: Multi-mode
작동 모드: CW or Modulation
The Polarization: 10:01
Directional Stability: <0.05 mrad
Bean Size: Near 6mm
빔 발산 각도:  2.5 mrad
전원 안정성:  <±3% per 2 hrs
High Height:  near 25mm
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
빔 품질 (M²): <20
The best working temperature:20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
레이저 헤드 치수: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm³ (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: 분할형 전원 공급 장치 / 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다)
전원 공급 장치-1: 분할 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30KHz Analog or TTL
보증: 1 Year 

[패키지 포함]
1 x 825nm Laser head
1 x 전원 공급 장치