860nm 5000mW High Power 반도체 레이저 IR 연구실 레이저 시스템

860nm 5000mW High Power 반도체 레이저 IR 연구실 레이저 시스템

[명세서]
상품명: 860nm 반도체 레이저
리드 타임: 1~3 주,  Custom product available!
출력 파장: 860(+/-5) nm
출력 파워: 5W
공간 모드: Multi-mode
작동 모드: CW or Modulation
포인팅 안정성: <0.05 mrad
빔 직경: Near 6mm
빔 발산 각도:  2.5 mrad
전원 안정성: <±3% per 4 hrs
빔 높이: Near 25mm
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
빔 품질(M²): <2
최적 작동 온도: 20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
레이저 헤드 치수: Near 91.5(L)x97(W)x45.5(H) mm³ (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: 분할형 전원 공급 장치 / 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다)
전원 공급 장치-1: 분할 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: 실험실 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
레이저 라디에이터/방열판: 포함하지 않음/포함 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30KHz Analog or TTL
보증: 1 Year

[패키지 포함]
1 x 860nm Laser head
1 x Laser power supply