785nm 1W Near IR laser high power Invisible 반도체 레이저

785nm 1W Near IR laser high power Invisible 반도체 레이저

[명세서]
상품명: IR 반도체 레이저
리드 타임: 1~3 weeks, 맞춤형 제품 가능!
출력 파장: 785±5nm
출력 파워: 1W 
공간 모드: Multimode
Operating Mode: CW or Modulation
포인팅 안정성: <0.05 mrad
빔 직경:  Near 5mm
Beam Divergence Angle:  near 1.5mrad
전원 안정성: <±3% per 2 hrs
Bean Height: Near 25mm
온도 안정화: TEC
준비 시간: <5 minutes
빔 품질(M2): <2
최적 작동 온도: 20~30℃
보관 온도: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (선택하다)
전원 공급 장치-1:Standard Power Supply (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
전원 공급 장치-2: Lab 조정 가능한 전원 공급 장치 (선택하다) (여기를 클릭하여 자세히 알아보기)
조정: 0~30KHz Analog or TTL
보증:1 Year

[Package include]
1 x 785nm  Laser Head
1 x Laser power supply